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參數(shù)資料
| 型號： | UPA1756G |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | UPA1756G |
Data Sheet D12909EJ1V0DS00
2
μ
PA1756
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 3.0 A
20.0
30
m
Drain to Source On-state Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 3.0 A
25.8
40
m
Gate to Source Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.0 mA
0.5
0.7
1.5
V
Forward Transfer Admittance
| y
fs
|
V
DS
= 10 V, I
D
= 3.0 A
4.0
12
S
Drain Leakage Current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
10
μ
A
Gate to Source Leakage Current
I
GSS
V
GS
= ±12.0 V, V
DS
= 0 V
±10
μ
A
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10 V
800
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
360
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1 MHz
70
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
I
D
= 3.0A
110
ns
Rise Time
t
r
V
GS(on)
= 4.0 V
425
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
V
DD
= 10 V
1050
ns
Fall Time
t
f
R
G
= 10
1200
ns
Total Gate Charge
Q
G
I
D
= 6.0 A
11
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
V
DD
= 16 V
2.0
nC
Gate to Drain Charge
Q
GD
V
GS
= 4.0 V
4.6
nC
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 6.0 A, V
GS
= 0 V
0.8
V
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
PG.
R
0
V
GS
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1 %
GS
Wave Form
I
D
Wave Form
V
GS
10 %
90 %
V
GS(on)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10 %
τ
R
G
= 10
I
D
0
t
on
t
off
PG.
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
G
= 2 mA
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PDF描述 |
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