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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA1755 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | UPA1755 |
Data Sheet G12715EJ1V0DS00
5
μ
PA1755
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature - C
d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
T
0
20
40
60
80
100
120
140
160
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Mounted on ceramic
substrate of
2000mm
2
×
1.1mm
2 unit
1 unit
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS -
Drain to Source Voltage - V
I
D
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
T
= 25 C
Single Pulse
Mounted on ceramic
substrate of
2000mm
2
×
1.1mm, 1
unit
P
W
=
1
ms
P
W
=
10
ms
W
=
100
ms
I
D(pulse)
=
28
A
I
D(DC)
=
7
A
Powe DsspaionLmted
R
DSon
10
(V
GS
=
V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
0.4
0.6
0.8
10
0.2
Pulsed
V
GS
=10
V
V
GS
=4
V
V
GS
=4.5
V
20
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
-
Gate to Source Voltage - V
I
D
100
10
1
0.1
Pulsed
V
DS
=
10
V
1
2
3
4
5
T
A
=150C
T
A
=125C
T
A
=75C
T
A
=25C
T
A
=
25C
T
A
=
50C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA1755G | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| UPA1756 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| UPA1756G | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| UPA1757 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| UPA1757G | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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