參數(shù)資料
型號: UPA1709G
廠商: NEC Corp.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: UPA1709G
5
μ
PA1709
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
0
-50
10
0
50
100
150
I
D
=
4.5
A
20
40
30
10
V
V
GS
=
4.5
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.1
0
1
10
100
0.5
1.0
1.5
Pulsed
V
GS
=
10
V
0
V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
0.1
100
1
000
10
000
1
10
100
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
0.1
10
100
1
000
1
10
100
V
DS
=
20
V
V
GS
=
10
V
R
G
=
10
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE CURRENT
I
D
- Diode Current - A
t
r
1
0.1
10
1
10
100
1
000
100
di/dt
=
100
A/ s
V
GS
=
0
V
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
80
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
20
40
20
40
2
4
6
8
80
I
D
=
9.0
A
10
12
14
V
DS
V
DD
= 32 V
20 V
8 V
V
GS
60
60
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PDF描述
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