參數(shù)資料
型號: UPA1708G
廠商: NEC Corp.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 59K
代理商: UPA1708G
5
μ
PA1708
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
0
-40 -20
10
0
20 40 60
80 100 120 140
I
D
= 3.5 A
20
40
30
10 V
V
GS
= 4.5 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
F
0.1
0
1
10
100
0.5
1.0
1.5
Pulsed
V
GS
=10 V
0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
100
1000
10000
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
0.1
10
100
1 000
1
10
100
V
DS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
d(on)
t
f
t
r
t
d(off)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
t
r
1
0.1
10
1
10
100
1 000
100
di/dt = 100A/
V
GS
= 0 V
s
μ
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
5
10
15
20
20
10
40
30
4
2
8
6
10
0
I
D
= 7 A
V
GS
V
DS
V
= 32 V
20 V
8 V
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