參數(shù)資料
型號(hào)： UPA1708
廠商： NEC Corp.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí)
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 59K
代理商： UPA1708
4
μ
PA1708
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
10 000
Mounted on ceramic
substrate of 1200mm
×
1.7mm
Single Pulse
2
100
μ
R
th(ch-a)
= 62.5
C
/W
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
|
V
=10 V
Pulsed
1
1
10
100
10
100
0.1
25
C
TA =
50C
75
C
C
C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
30
20
10
10
15
Pulsed
50
60
70
40
5
I
D
= 3.5 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
40
30
10
100
Pulsed
0
80
70
10 V
V
GS
= 4.5 V
20
10
50
60
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
-50
50
0
0
100
150
1
2
3
4
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PDF描述
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