參數(shù)資料
型號： UPA1707G
廠商： NEC Corp.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 58K
代理商： UPA1707G
Data Sheet G13084EJ1V0DS00
4
μ
PA1707
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
-
Gate to Source Voltage - V
I
D
0.1
0.01
1
10
100
Pulsed
0
1
2
4
3
V
DS
= 10 V
T
A
= 125C
75C
25C
25C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
0.4
0.6
0.8
30
20
10
0.2
Pulsed
50
40
V
GS
= 10
V 4.5
V 4
V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
|
V
=10
V
Pulsed
1
1
10
100
10
100
0.1
T
A
=
25C
25C
75C
125C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
10
30
35
25
15
5
20
5
10
15
20
25
Pulsed
I
D
= 5
A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
0.1
20
10
100
Pulsed
0
10
30
V
GS
= 4
V
4.5
V
10
V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
4
0
0
40
80
120
1.0
1.4
1.8
2.2
0.6
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PDF描述
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