參數(shù)資料
型號(hào)： UNRL111
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ML4-N1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： UNRL111
Transistors with built-in Resistor
UNRL110/111/113/114/115
Silicon PNP epitaxial planer type
1
Publication date: July 2001
SJH00044AED
For digital circuit
I
Features
Mold leadless type package, allowing downsizing and thinning of
the equipment and automatic insertion through the tape packing.
The PCB mounting area is 1/10 of that of lead type package (3-pin
MINI-type package).
I
Resistance by Part Number
Marking Symbol
UNRL110
UNRL111
UNRL113
UNRL114
UNRL115
(R
1
)
47 k
10 k
47 k
10 k
10 k
(R
2
)
10 k
47 k
47 k
P
A
B
R
M
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
50
50
100
V
Collector to emitter voltage
V
Collector current
mA
Total power dissipation
*
P
T
T
j
T
stg
150
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
μ
A
I
CEO
I
EBO
Emitter cutoff
current
UNRL111
mA
UNRL114
UNRL113
UNRL110/115
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
50
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
Forward current
transfer ratio
UNRL111
35
UNRL113/114
80
UNRL110/115
160
460
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
0.25
V
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note)*: Printed circuit board copper foil for collector portion
area: 20.0 mm
2
or more, thickness: 1.6 mm
1
2
3
4
1.00
±0.05
0
±
0
0.60
±0.05
0.020
±0.010
0.60
2
1
4
3
0
0
±
0
±
0.30
±0.03
0.05
±
0.03
1
R
2
2
3
4
R
1
Internal Connection
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
4: Collector
ML4-N1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNRL113 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Supply Voltage Max:5.5V RoHS Compliant: No
UNRL114 Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL115 Silicon PNP epitaxial planer type
UP0411M Silicon PNP epitaxial planar type
UP04312 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNRL11100A 功能描述:TRANS PNP W/RES 35 HFE LEADLESS RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNRL113 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL11300A 功能描述:TRANS PNP W/RES 80 HFE LEADLESS RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNRL114 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL115 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type
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