參數(shù)資料
型號(hào)： UMX18N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistors (dual transistors)
中文描述： 通用晶體管（雙晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： UMX18N
EMX18 / UMX18N
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
Cob
Min.
15
12
6
270
90
7.5
0.1
0.1
680
250
V
I
C
=1
0
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=1
0
μ
A
V
CB
=15
V
V
EB
=6
V
V
CE
=2
V, I
C
=
10mA
I
C
/I
B
=20
0mA/10mA
V
V
μ
A
μ
A
mV
PF
Typ. Max. Unit
Conditions
f
T
320
V
CE
=
2V, I
E
=
10mA, f
=
100MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Transition frequency
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
z
Packaging specifications
Package
Code
TN
3000
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
UMX18N
T2R
8000
EMX18
Type
z
Electrical characteristic curves
0
1
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
100
0.5
1.0
1.5
V
CE
= 2V
1000
T
1
2
°
C
2
°
C
-
°
C
2
5
20
50
200
500
1
2
5
10
20
50
100
200
500
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
10
D
F
1000
20
50
100
200
500
1000
Ta =
1
25
°
C
25
°
C
5
2
1
V
CE
=
2V
-40
°
C
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
/
I
B
=
20
1
2
5
10
20
50
100
200
500 1000
C
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
Ta =
1
25
°
C
500
1000
25
°
C
-40
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMZ8.2N Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
UPA1438H NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1453 PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1453H PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1456 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMX18NTN 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
UMX1E4R7MCT1 制造商:n/a 功能描述:4.7 mf 25 v SMT Alum Electrolytic
UMX1N 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual NPN General Purpose Transistors
UMX1NTL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
UMX1NTN 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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