參數(shù)資料
型號： UMT6
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power mamage,emt (dual transistors)
中文描述： 電力mamage中，EMT（雙晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： UMT6
EMF20/UMF20N
Transistors
C
4/4
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
100
200
500
Ta=25C
V
CE
=6V
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
Fig.10 Gain bandwidth product vs.
emitter current
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
Cib
Cob
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: V
EB
(V)
Fig.11 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
E
(
Ta=25C
f
=
1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
0.2
0.5
1
2
5
10
10
20
50
100
200
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
Fig.12 Base-collector time constant vs.
emitter current
b
Ta=25
C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
DTr2
V
O
=
0.3V
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m
100
50
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
I
I
OUTPUT CURRENT : I
O
(A)
Fig.9 Input voltage vs. output current
(ON characteristics)
25
°
C
100
°
C
Ta
=
40
°
C
V
CC
=
5V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10m
5m
2m
1m
500
μ
200
μ
100
μ
50
μ
20
μ
10
μ
5
μ
1
μ
2
μ
INPUT VOLTAGE : V
I(off)
(V)
O
Fig.10 Output current vs. input voltage
(OFF characteristics)
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
OUTPUT CURRENT : I
O
(A)
Fig.11 DC current gain vs. output
current
D
I
V
O
=
5V
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
l
O
/l
I
=
20
OUTPUT CURRENT : I
O
(A)
Fig.12 Output voltage vs. output
current
O
O
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
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PDF描述
UMF32N Power management (dual transistors)
UMG10N General Purpose(Dual Digital Transistor)(通用(雙數(shù)字晶體管))
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