參數(shù)資料
型號： UMG4N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose (dual digital transistors)
中文描述： 通用（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 84K
代理商： UMG4N
EMG4 / UMG4N / FMG4A
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Rev.A
2/2
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
R
1
Min.
50
50
5
100
7
Typ.
250
250
10
Max.
0.5
0.5
0.3
600
13
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
k
Conditions
Transition frequency
Input resistance
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
10mA/1mA
V
CE
=
5V, I
C
=
1mA
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
Transition frequency of the device.
z
Electrical characteristics curves
1k
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.1 DC current gain vs. collector
current
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m 10m
20m
50m 100m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
V
CE
=
5V
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
C
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.2 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
100
μ
200
μ
500
μ
1m
2m
5m 10m
20m
50m 100m
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMG5N Emitter common (dual digital transistors)
UMG6N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
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UMG8N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
UMG9N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMG4N-7 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 150mW 100mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMG4NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-353 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMG5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-25VAR
UMG5N 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMG5NTR,Transis
UMG5NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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