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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ULQ2003ATDG4Q1 |
| 廠商： | Texas Instruments |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 40 |
| 類型： | 達(dá)林頓晶體管矩陣 |
| 驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)： | 7/0 |
| 電源電壓： | 6 V ~ 15 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
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SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)
MIN
MAX
UNIT
VCC
Collector-emitter voltage
50
V
Clamp diode reverse voltage(2)
50
V
VI
Input voltage(2)
30
V
Peak collector current
See Figure 14
500
mA
IOK
Output clamp current
500
mA
Total emitter-terminal current
–2.5
A
See Dissipation
PD
Continuous total power dissipation
Ratings Table
ULQ200xAT
–40
105
TA
Operating free-air temperature range
°C
ULQ200xAQ
–40
125
D package
73
qJA
Package thermal impedance(3) (4)
°C/W
PW package
108
Tstg
Storage temperature range
–65
150
°C
(1)
Stresses beyond those listed under "absolute maximum ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under "recommended operating
conditions" is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
(2)
All voltage values are with respect to the emitter/substrate terminal E, unless otherwise noted.
(3)
Maximum power dissipation is a function of TJ(max), qJA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient
temperature is PD = (TJ(max) – TA)/qJA. Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability.
(4)
The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
DISSIPATION RATINGS
DERATING
TA = 25°C
FACTOR
TA = 85°C
TA = 105°C
TA = 125°C
PACKAGE
POWER
ABOVE
POWER RATING
RATING
TA = 25°C
D
950 mW
7.6 mW/°C
494 mW
342 mW
190 mW
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
3
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD70F3025AGC-33-8EU-A | MCU 32BIT 256K FLASH 100LQFP |
| UPD70F3201YGC-YEU-A | MCU 32BIT I2C 100TQFP |
| UPD70F3452GC-UBT-A | MCU 32BIT 256KB FLASH 80LQFP |
| UPD70F3714GC-8BS-A | MCU 32BIT V850ES/LX2 64-LQFP |
| UPD70F3757GJ-GAE-AX | MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ULQ2003ATDQ1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Auto Cat HiVltg Hi Crnt Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2003ATDRAS | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATDRG4Q1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Darl Trans Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2003ATDRQ1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2003ATDRRB | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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