ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
參數(shù)資料
型號： ULQ2003ADR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述： TRANS ARRAY DARL 16-SOIC
標準包裝： 2,500
類型： 達林頓晶體管矩陣
驅動器/接收器數(shù)： 7/0
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 16-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
ULN2003A, ULQ2003A
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Leakage Current
(VO = 50 V, TA = +85°C)
(VO = 50 V, TA = +25°C)
ICEX
-
100
50
mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 350 mA, IB = 500 mA)
(IC = 200 mA, IB = 350 mA)
(IC = 100 mA, IB = 250 mA)
VCE(sat)
-
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
V
Input Current - On Condition
(VI = 3.85 V)
II(on)
-
0.93
1.35
mA
Input Voltage - On Condition
(VCE = 2.0 V, IC = 200 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 250 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 300 mA)
VI(on)
-
2.4
2.7
3.0
V
Input Current - Off Condition
(IC = 500 mA, TA = 85°C)
II(off)
50
100
-
mA
DC Current Gain
(VCE = 2.0 V, IC = 350 mA)
hFE
1000
-
Input Capacitance
CI
-
15
30
pF
Turn-On Delay Time
(50% EI to 50% EO)
ton
-
0.25
1.0
ms
Turn-Off Delay Time
(50% EI to 50% EO)
toff
-
0.25
1.0
ms
Clamp Diode Leakage Current
(VR = 50 V)
TA = +25°C
TA = +85°C
IR
-
50
100
mA
Clamp Diode Forward Voltage
(IF = 350 mA)
VF
-
1.5
2.0
V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ULQ2003AFW 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:7-ch Darlington Sink Driver
ULQ2003AN 功能描述:達林頓晶體管 Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003AN 制造商:Texas Instruments 功能描述:TRANS ARRAY DARL 制造商:Texas Instruments 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, DIP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:85C ;RoHS Compliant: No
ULQ2003AP 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:7-ch Darlington Sink Driver
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