| 型號: | TZX7V5 |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述: | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商: | TZX7V5 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB-15x | Fast Recovery Diodes |
| UB-151 | Fast Recovery Diodes |
| UB-152 | Fast Recovery Diodes |
| UB-154 | Fast Recovery Diodes |
| UC563DP | 1.5 A, Very low drop voltage regulators |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TZX7V5A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZX7V5A-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5 Volt 0.5W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZX7V5A-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5 Volt 0.5W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZX7V5B | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE |
| TZX7V5B-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |