參數(shù)資料
型號： TZS4714
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 79K
代理商： TZS4714
TZS4678...TZS4717
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
4 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number85613
0
5
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9601
20
T
j
=25
°
C
V
R
=2V
Figure 5. Diode Capacitance vs.
Z–Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
T
j
=25
°
C
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
Figure 7. Z–Current vs. Z–Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
35
95 9607
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
Figure 8. Z–Current vs. Z–Voltage
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
r
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9606
T
j
=25
°
C
I
Z
=1mA
5mA
10mA
Figure 9. Differential Z–Resistance
vs. Z–Voltage
相關PDF資料
PDF描述
TZS4715 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZS4716 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZS4717 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
X100FG 2,500 V - 10,000 V Rectifiers 100 mA - 250 mA Forward Current 200 ns Recovery Time
X100SG Spice Model
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TZS4714-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TZS4715 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZS4715-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
TZS4716 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZS4716-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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