- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385042 > TZS4683 (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TZS4683 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | TZS4683 |
TZS4678...TZS4717
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85613
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Zener voltage specified at 50 A
Maximum delta V
Z
given from 10 A to 100 A
Very high stability
Low noise
Applications
Voltage stabilization
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TZS4685 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4686 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4687 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4688 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4689 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TZS4683-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.0 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZS4684 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| TZS4684-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZS4685 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4685-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。