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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TZA1026T/V2,118 |
| 廠商： | NXP Semiconductors |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC DATA AMPLIFIER 14-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 系列： | * |
| 類型： | * |
| 應(yīng)用： | * |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 14-SO |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 935262237118 TZA1026T/V2-T TZA1026T/V2-T-ND |
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1998 Oct 30
8
Philips Semiconductors
Product specication
Data amplier and laser supply circuit for CD
audio and video optical systems (ADALASAuto)
TZA1026
CHARACTERISTICS
VDD = 2.7 V; VDD(L) Vo(LASER) = 0.55 V; Ii(DIN) = 0 mA; Io(LASER) = 80 mA; VCMFB = 12VDD; PWRON = HIGH;
CDRW = LOW; EQSEL = open-circuit; CCFIL = 10 nF; RRFFB =10k; pin RGADJ connected to ground; Tamb =25 °C;
unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supplies
VDD
supply voltage
2.7
5.5
V
VDDL(L)
laser supply voltage
2.7
5.5
V
IDD
supply current
3
mA
Iq
quiescent supply
current
PWRON = LOW
40
A
RF amplier
Ii(DIN)
central diode input
current
70
+70
A
Zi(DIN)
central diode input
impedance
100
VCMFB
common mode
feedback input voltage
note 1
0.7
1
2VDD
VDD 0.4
V
VO(RFEQO)
RF amplier output
DC-level
CDRW = LOW
VCMFB 0.05
VCMFB + 0.25 V
CDRW = HIGH
VCMFB 0.35
VCMFB + 0.35 V
Vo(RFEQO)
RF amplier output
voltage
0.25
VDD 0.25
V
Zo(RFEQO)
RF amplier output
impedance
note 2
100
td(f)(RF)
RF atness delay
CDRW = LOW or HIGH
f < 1 MHz; n = 1;
EQSEL = LOW
10
ns
f < 2 MHz; n = 2;
EQSEL = HIGH
5ns
f < 4 MHz; n = 4;
EQSEL = open-circuit
2.5
ns
GRF
RF path gain boost
CDRW = LOW or HIGH;
notes 3 and 4
f = 720 kHz; n = 1;
EQSEL = LOW
5
dB
f = 1440 kHz; n = 2;
EQSEL = HIGH
5
dB
f = 2880 kHz; n = 4;
EQSEL = open-circuit
0
dB
Ztr(RF)
RF transimpedance
note 5
CDRW = LOW
9.2
9.8
10.4
k
CDRW = HIGH
35.6
38
40.4
k
THDRF
RF total harmonic
distortion
note 4
50
dB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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