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參數(shù)資料
| 型號： | TYN1006 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 6 A, 1000 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 223K |
| 代理商： | TYN1006 |
TYN606 TYN1006
2/4
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°C/W
Rth (j-c) DC
Junction to case for DC
2.5
°C/W
GATE CHARACTERISTICS (maximum values)
PG(AV) =1W
PGM = 10W (tp = 20s)
IFGM = 4A (tp = 20s)
VRGM =5V
THERMAL RESISTANCE
Symbol
Test conditions
Value
Unit
IGT
VD = 12V (DC)
RL =33
Tj = 25°C
MAX.
15
mA
VGT
VD = 12V (DC)
RL =33
Tj = 25°C
MAX.
1.5
V
VGD
VD =VDRM
RL = 3.3k
Tj =110°C
MIN.
0.2
V
tgt
VD =VDRM
IG = 40mA
dIG/dt = 0.5A/s
Tj = 25°C
TYP.
2
s
IL
IG = 1.2IGT
Tj = 25°C
TYP.
50
mA
IH
IT = 100mA Gate open
Tj = 25°C
MAX.
30
mA
VTM
ITM = 12A
tp = 380s
Tj = 25°C
MAX.
1.6
V
IDRM
IRRM
VDRM rated
VRRM rated
Tj = 25°C
MAX.
0.01
mA
Tj = 110°C
MAX.
2
dV/dt
Linear slope up to
VD = 67% VDRM gate open
Tj = 110°C
MIN.
200
V/
s
tq
VD=67%VDRM
ITM= 12A
VR= 25V
dITM/dt=30 A/
sdVD/dt= 50V/s
Tj = 110°C
TYP.
70
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
1
2
3
4
5
6
7
P(W)
360
O
=180
o
=120
o
=90
o
=60
o
=30
o
DC
I(A)
T(AV)
Fig. 1: Maximum average power dissipation ver-
sus average on-state current.
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
7
-110
-115
-120
-125
P (W)
Tcase ( C)
o
Rth = 0 C/W
5C/W
10 C/W
15 C/W
o
=180
o
Tamb ( C)
o
Fig. 2: Correlation between maximum average
power dissipation and maximum allowable temper-
atures (Tamb and Tcase) for different thermal
resistances heatsink + contact.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TYPE324 | High junction temperature Transil |
| TYPE331 | High junction temperature Transil |
| TZ03R200E169B00 | High junction temperature Transil |
| TZ03T110E169B00 | High junction temperature Transil |
| TZ03Z050E169B00 | High junction temperature Transil |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TYN1006RG | 功能描述:SCR 6.0 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TYN1008 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Silicon controlled rectifiers |
| TYN1008G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Silicon controlled rectifiers |
| TYN1008RG | 功能描述:SCR 8.0 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TYN100G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTORS |
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