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參數(shù)資料
| 型號： | TVU05B |
| 廠商： | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | 14引腳DIP封裝，5.0伏，高速CMOS/TTL電平，時鐘振蕩器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 16K |
| 代理商： | TVU05B |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 1.0 mA
BV
CE
I
C
= 20 mA
BV
EBO
I
E
= 0.25 mA
I
CBO
V
CB
= 28 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 100 mA
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
45
24
3.5
15
UNITS
V
V
V
mA
---
0.45
120
P
G
IMD
1
V
CE
= 20 V
P
OUT
= 0.5 W
I
C
= 150 mA f = 860 MHz
12
-58
dB
dBc
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
TVU0.5B
DESCRIPTION:
The
ASI TVU0.5B
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
2.0 A
V
CBO
45 V
V
CEO
25 V
V
EBO
3.5 V
P
DISS
31.8 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
T
J
T
STG
-65
O
C to +150
O
C
θ
JC
33
O
C/W
PACKAGE STYLE .205 4L STUD
ORDER CODE: ASI10642
A
B
H
E
F
.098 / 2.500
.161 / 4.100
.028 / 0.700
.976 / 24.800
.138 / 3.500
.976 / 24.800
inches / mm
MINIMUM
A
G
F
E
D
C
B
1.000 / 25.4000
.110 / 2.800
.196 / 5.000
1.000 / 25.4000
MAXIMUM
inches / mm
.031 / 0.800
C
D
H
I
J
.200 / 5.100
.425 / 10.800
.004 / 0.100
.006 / 0.150
.465 / 11.800
2.05 / 5.200
G
J
#8-32UNC
.200 / 5.100
.208 / 5.300
DIM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TVU100 | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:10 A,Vcb: 60 V,Vce: 35V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:10 A,Vcb: 60 V,Vce: 35V)) |
| TVU150A | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:25A,Vcbo: 60 V,Vceo: 30 V,Vebo: 3.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:25A,Vcbo: 60 V,Vceo: 30 V,Vebo: 3.0 V)) |
| TVU150 | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:25A,Vcbo: 28 V,Vceo: 60 V,Vebo: 3.5 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:25A,Vcbo: 28 V,Vceo: 60 V,Vebo: 3.5 V)) |
| TVV005 | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:4.0 A,Vcbo: 55 V,Vceo: 30 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:4.0 A,Vcbo: 55 V,Vceo: 30 V,Vebo: 4.0 V)) |
| TVV007 | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:10 A,Vcb: 60 V,Vce: 35V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:10 A,Vcb: 60 V,Vce: 35V)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TVU100 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TVU100_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TVU150 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TVU150_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TVU150A | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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