
TT 500 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und
Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
tvj = -40°C... t vj max
VDRM, VRRM 600 800 1000
1200 1400 1600
V
Vorwrts-
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-
state voltage
tvj = -40°C... t vj max
VDSM
600 800 1000
1200 1400 1600
V
Rückwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak voltage
tvj = +25°C... t vj max
VRSM
700 900 1100
1300 1500 1700
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
900
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
500
A
tc = 77°C
573
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
17
kA
tvj = tvj max, tp = 10 ms
14,5
kA
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
I2 t
1445 . 103
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
1051 . 103
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state
current
DIN IEC 747-6
(diT/dt)cr
200 A/s
f = 50 Hz, I GM = 1 A, diG = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state
voltage
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
6.Kennbuchstabe/6th letter F
1000 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 1,7 kA
vT
max.
1,53
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
0,9
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,27
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, v D = 6 V
IGT
max.
250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, v D = 6 V
VGT
max.
2,2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max.
10
mA
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, v D = 6 V, RA = 5
IH
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 10 IL
max.
1500
mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s, t g = 20 s
Vorwrts- und Rückwrts-
Sperrstrom
forward off-state and reverse
currents
tvj = tvj max
iD, iR
max.
100
mA
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t vj = 25°C
tgd
max.
4
s
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj = tvj max, iTM = ITAVM
tq
typ.
250
s
vRM = 100 V, v DM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s,-di T/dt = 10A/s
5.Kennbuchstabe/5th letter O
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
pro Modul/per module, Θ =180° sinRthJC
max.
0,0325 °C/W
pro Zweig/per arm, Θ =180° sin
max.
0,0650 °C/W
to case
pro Modul/per module, DC
max.
0,0310 °C/W
pro Zweig/per arm, DC
max.
0,0620 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to
heatsink
pro Modul/per module
RthCK
max.
0,01 °C/W
pro Zweig/per arm
max.
0,02 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Gehuse, siehe Seite
case, see page
1
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Amplifying Gate
amplifying gate
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
1500
g
Kriechstrecke
creepage distance
19
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s