- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365995 > TT170N18KOF-K THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|1.8KV V(RRM)|170A I(T) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TT170N18KOF-K |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|1.8KV V(RRM)|170A I(T) |
| 中文描述： | 晶閘管模塊|可控硅|雙|消委會(huì)| 1.8KV五（無(wú)線資源管理）| 170A章吾（翻譯） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/12頁(yè) |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | TT170N18KOF-K |
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT170N
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Spec
A513E2
2/12
Seite/page
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/μs, -di
T
/dt = 10 A/μs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
t
q
typ.
250 μs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,085
0,170
0,082
0,164
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,02
0,04
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
12
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
800 g
Kriechstrecke
creepage distance
17 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s2
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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