參數(shù)資料
型號： TSMBJ1011C
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 浪涌電流限制器
英文描述： Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
中文描述： 210 V, 50 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 179K
代理商： TSMBJ1011C
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PDF描述
TSMBJ1012C Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1014C Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1024C Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1006C Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts
TSMBJ1010C Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TSMBJ1012C 功能描述:硅對稱二端開關元件 160V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TSMBJ1012C/TP 功能描述:硅對稱二端開關元件 160V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TSMBJ1012C-TP 功能描述:硅對稱二端開關元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TSMBJ1014C 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1016C 功能描述:硅對稱二端開關元件 190V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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