參數(shù)資料
型號(hào)： TSHA650
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ?5 mm (T-13/4) Package
中文描述： 紅外發(fā)光二極管的GaAIAs在？5毫米（翻譯- 13 / 4）包裝
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 88K
代理商： TSHA650
TSHA650.
Vishay Telefunken
4 (6)
Rev. 3, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81022
–
e
I
F
– Forward Current ( mA )
94 8015 e
10
3
10
1
10
2
10
4
10
0
0.1
1
10
1000
100
Figure 7. Radiant Power vs. Forward Current
–10
10
50
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
e
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
140
94 8020 e
I
F
= 20 mA
Figure 8. Rel. Radiant Intensity\Power vs.
Ambient Temperature
780
880
– Wavelength ( nm )
980
94 8000 e
–
e
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
I
F
= 100 mA
e
( )
rel
=
e
( )/
e
(
p
)
Figure 9. Relative Radiant Power vs. Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
I
e
0.6
94 8016 e
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 10. Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
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PDF描述
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參數(shù)描述
TSHA6500 功能描述:紅外發(fā)射源 5V 22mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
TSHA6500_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs
TSHA6501 功能描述:紅外發(fā)射源 5V 23mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
TSHA6502 功能描述:紅外發(fā)射源 5V 24mW 875nm 24 Deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
TSHA6503 功能描述:紅外發(fā)射源 5V 25mW 875nm 24 deg RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
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