參數資料
型號: TSC87251G2D-L16CB
廠商: TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類: 8位微控制器
英文描述: 8/16-bit Microcontroller with Serial Communication Interfaces
中文描述: 16位產品微控制器的串行通信接口
文件頁數: 32/63頁
文件大?。?/td> 878K
代理商: TSC87251G2D-L16CB
Rev. A - May 7, 1999
32
TSC80251G2D
Table 39. Verifying Modes
Note:
1. To preserve the secrecy of on-chip code memory when encrypted, the Encryption Array can not be verified.
Figure 10. Setup for Verifying
ROM Area
(1)
RST
EA#/VPP
PSEN#
ALE/PROG#
P0
P2
P1(MSB) P3(LSB)
On-chip code memory
1
1
0
1
28h
Data
16-bit Address
0000h-7FFFh (32 Kbytes)
Configuration Bytes
1
1
0
1
29h
Data
CONFIG0: FFF8h
CONFIG1: FFF9h
Lock Bits
1
1
0
1
2Bh
Data
0000h
Signature Bytes
1
1
0
1
29h
Data
0030h, 0031h, 0060h, 0061h
VDD
PSEN#
ALE/PROG#
EA#/VPP
XTAL1
VDD
4 to 12 MHz
RST
VSS/VSS1/VSS2
Mode
VDD
A[7:0]
A[14:8]
P0[7:0]
P3[7:0]
P1[7:0]
TSC8x251G2D
P2[7:0]
Data
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PDF描述
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參數描述
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TSC87251G2D-L16CE 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標準包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設備:POR,WDT 輸入/輸出數:32 程序存儲器容量:32KB(32K x 8) 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數據轉換器:- 振蕩器型:內部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP(0.600",15.24mm) 包裝:管件
TSC87251G2D-L16CER 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標準包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設備:欠壓檢測/復位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數:16 程序存儲器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數據轉換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR)
TSC873CT A3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSC873CW RPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2