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參數(shù)資料
| 型號： | TPS28225DT |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Driver |
| 中文描述： | 高頻率的4 - A水槽同步MOSFET驅(qū)動器 |
| 文件頁數(shù)： | 18/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 951K |
| 代理商： | TPS28225DT |
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www.ti.com
APPLICATION INFORMATION
SWITCHING THE MOSFETs
Driving the MOSFETs efficiently at high switching frequencies requires special attention to layout and the
reduction of parasitic inductances. Efforts need to be done both at the driver’s die and package level and at the
PCB layout level to keep the parasitic inductances as low as possible.
Figure 24
shows the main parasitic
inductances and current flow during turning ON and OFF of the MOSFET by charging its C
GS
gate capacitance.
4
5
GND
6
VDD
LGATE
Cvdd
L bond wire
Rsink
Rsource
L pin
L trace
L bond wire
L bond wire
Driver
Output
Stage
L pin
L pin
L trace
I sink
L trace
Cgs
Rg
L trace
I source
TPS28225
SLUS710–MAY 2006
Figure 24. MOSFET Drive Paths and Main Circuit Parasitics
18
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