參數(shù)資料
型號(hào)： TPS2097DR
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： QUAD POWER-DISTRIBUTION SWITCHES
中文描述： 四配電開關(guān)
文件頁數(shù)： 7/19頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： TPS2097DR
TPS2090, TPS2091, TPS2092 DUAL,
TPS2095, TPS2096, TPS2097 QUAD
POWER-DISTRIBUTION SWITCHES
SLVS245A
–
SEPTEMBER 2000
–
REVISED MARCH 2001
7
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended operating junction temperature range, V
I(IN)
= 5.5 V,
I
O
= rated current, V
I(ENx)
= 0 V, V
I(ENx)
= V
I(INx)
(unless otherwise noted) (continued)
power switch
PARAMETER
TEST CONDITIONS
TJ = 25
°
C,
TJ = 85
°
C,
TJ = 125
°
C,
TJ = 25
°
C,
TJ = 85
°
C,
TJ = 125
°
C,
TJ = 25
°
C,
MIN
TYP
MAX
UNIT
VI(IN) = 5 V,
VI(IN) = 5 V,
VI(IN) = 5 V,
VI(IN) = 3.3 V,
VI(IN) = 3.3 V,
VI(IN) = 3.3 V,
VI(IN) = 5.5 V,
RL=20
VI(IN) = 2.7 V,
RL=20
VI(IN) = 5.5 V,
RL=20
VI(IN) = 2.7 V,
RL=20
IO = 0.25 A
IO = 0.25 A
IO = 0.25 A
IO = 0.25 A
IO = 0.25 A
IO = 0.25 A
CL = 1
μ
F,
80
100
90
120
rDS(on)
Static drain source on state resistance
Static drain-source on-state resistance
100
135
m
90
125
110
145
120
165
tr
Rise time output
Rise time, output
2.5
ms
TJ = 25
°
C,
CL = 1
μ
F,
3
tf
Fall time output
Fall time, output
TJ = 25
°
C,
CL = 1
μ
F,
4.4
ms
TJ = 25
°
C,
CL = 1
μ
F,
2.5
Pulse-testing techniques maintain junction temperature close to ambient temperature; thermal effects must be taken into account separately.
enable input V
I(ENx)
or V
I(ENx)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
VIH
High-level input voltage
2.7 V
≤
VI(IN)
≤
5.5 V
4.5 V
≤
VI(IN)
≤
5.5 V
2.7 V
≤
VI(IN)
≤
4.5 V
VI(ENx) = 0 V and VI(ENx) = VI(IN), or
VI(ENx) = VI(IN) and VI(ENx) = 0 V
CL = 100
μ
F, RL=20
CL = 100
μ
F, RL=20
2
V
VIL
Low level input voltage
Low-level input voltage
0.8
V
0.4
II
Input current
–
0.5
0.5
μ
A
ton
toff
Turnon time
20
ms
Turnoff time
40
current limit
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
IOS
Short-circuit output current
VI(IN) = 5 V, OUT connected to GND,
Device enabled into short circuit
0.3
0.5
0.7
A
Pulse-testing techniques maintain junction temperature close to ambient temperature; thermal effects must be taken into account separately.
undervoltage lockout
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Low-level input voltage
2
2.5
V
Hysteresis
TJ = 25
°
C
100
mV
overcurrent OCx
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Sink current
VO = 5 V
IO = 5 mA, VOL(OCx)
VO = 5 V, VO = 3.3 V
10
mA
Output low voltage
Off-state current
Specified by design, not production tested.
0.5
V
μ
A
1
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TPS2097DRG4 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 0.3A 2.7-5.5V Quad Hi-Side MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
TPS-20L 功能描述:保險(xiǎn)絲 20A RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險(xiǎn)絲類型:Fast Acting 保險(xiǎn)絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
TPS2100D 功能描述:IC V-AUX POWER DIST SW 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - O 圈控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 應(yīng)用:電池備份，工業(yè)/汽車，大電流開關(guān) FET 型:- 輸出數(shù):5 內(nèi)部開關(guān):是 延遲時(shí)間 - 開啟:100ns 延遲時(shí)間 - 關(guān)閉:- 電源電壓:3 V ~ 5.5 V 電流 - 電源:250µA 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC N 包裝:帶卷 (TR)
TPS2100DBVR 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Dual In/Single Out MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
TPS2100DBVRG4 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Dual In/Single Out MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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