| 型號: | TPS1100(中文) |
| 廠商: | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述: | Single P-Channel Enhancment-Mode MOSFET(單路P溝道增強方式MOSFET) |
| 中文描述: | 單P通道Enhancment型MOSFET(單路P溝道增強方式MOSFET的) |
| 文件頁數: | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 664K |
| 代理商: | TPS1100(中文) |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS1110(中文) | Single P-Channel Enhancment-Mode MOSFET(單路P溝道邏輯電平MOSFET) |
| TPS2014(中文) | Power Distribution Switch(過流、限流、欠壓鎖定、熱關閉及ESD保護,電源分配開關) |
| TPS2015(中文) | Power Distribution Switch(過流、限流、欠壓鎖定、熱關閉及ESD保護,電源分配開關) |
| TPS2020P | POWER-DISTRIBUTION SWITCHES |
| TPS2022P | POWER-DISTRIBUTION SWITCHES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TPS1100D | 功能描述:MOSFET MOSFET 10ns RT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1100DG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1100DR | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1100DRG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1100PW | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |