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參數(shù)資料
| 型號： | TPIC1501 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
| 中文描述： | 四和HEX電源DMOS陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | TPIC1501 |
TPIC1501A
QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY
SLIS046A – MAY 1995 – REVISED JUNE 1996
4
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
source-to-drain diode characteristics, Q1A, Q2A, T
C
= 25
°
C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
trr
Reverse-recovery time
IS = 1.5 A,
VDS = 14 V,
See Figures 1 and 23
VGS = 0,
di/dt = 100 A/
s,
μ
70
ns
QRR
trr
QRR
Total diode charge
90
nC
Reverse-recovery time
Total diode charge
IS = 2 A,
VDS = 14 V,
VGS = 0,
di/dt = 100 A/
μ
s
75
110
ns
nC
resistive-load switching characteristics, Q1A, Q1B, Q2A, Q2B, T
C
= 25
°
C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
20
MAX
UNIT
td(on)
td(off)
tr
tf
Qg
Qgs(th)
Qgd
L(drain)
L(source)
r(gate)
Turn-on delay time
Turn-off delay time
VDD = 14 V,
tdis = 10 ns,
RL = 9.3
See Figure 3
ten = 10 ns,
30
ns
Rise time
,
15
Fall time
25
Total gate charge
VDS = 14 V,
See Figure 4
ID = 1.5 A,
1 5 A
VGS = 10 V,
5.6
7
Threshold gate-to-source charge
0.8
1
nC
Gate-to-drain charge
1.4
1.75
Internal drain inductance
5
nH
Internal source inductance
5
Internal gate resistance
0.25
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TPIC1502DW | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPIC1504 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPIC1504DW | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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