參數(shù)資料
型號(hào)： TP2540
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-400V，低門限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場(chǎng)效應(yīng)管（擊穿電壓，為400V，低門限為2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： TP2540
7-146
TP2535/TP2540
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
DS
(th)
and R
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
C
V
DS
(volts)
I
BV
0
-10
-20
-30
-40
150
100
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-2
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
100
80
60
40
20
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-50
0
50
100
150
60pF
V
DS
= - 40V
V
DS
= - 10V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
T
= -55
°
C
A
V
DS
= - 25V
125
°
C
0
-0.4
-0.8
-1.2
-2.0
-1.6
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
0.9
190 pF
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V @ -1mA
25
°
C
50
0
C
RSS
R
DS(ON)
@ -10V, -0.1A
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP2635 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-350V，低門限2.0V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
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TP3005 CONNECTOR ACCESSORY
TP3006 CONNECTOR ACCESSORY
TP3019 The RF Line UHF Power Transistors
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參數(shù)描述
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TP2540N3-G 功能描述:MOSFET 400V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2540N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 400V 0.086A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2540N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2540N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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