參數(shù)資料
型號(hào)： TP2535
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-350V，低門限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場(chǎng)效應(yīng)管（擊穿電壓- 350V，低門限為2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： TP2535
7-145
7
TP2535/TP2540
Maximum Rated Safe Operating Area
Output Characteristics
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
Saturation Characteristics
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-1
-1000
-100
-10
Thermal Response Characteristics
T
Transconductance vs. Drain Current
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
-2.0
-0.4
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
150
100
50
2.0
125
75
25
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
-4V
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
- 6V
-6V
-8V
- 8V
-0.8
-1.2
-1.6
0
TO-243AA
TO-92
T
A
= -55
°
C
25
°
C
1.0
- 4V
125
°
C
TO-243AA(pulsed)
TO-92 (pulsed)
TO-92 (DC)
TO-243AA (DC)
T
A
= 25
°
C
-0.1
-1.0
-10
-0.01
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1
TO-243AA
T
A
= 25
°
C
P
D
= 1.6W
I
D
I
D
V
GS
=
-10V
V
GS
=
-10V
G
F
I
D
(amperes)
T
A
(
°
C)
P
D
V
DS
= -25V
t
p
(seconds)
V
DS
(volts)
I
D
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP2540 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-400V，低門限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TP2635 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-350V，低門限2.0V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TP2640 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-400V，低門限2.0V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TP3005 CONNECTOR ACCESSORY
TP3006 CONNECTOR ACCESSORY
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參數(shù)描述
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TP2535N3-G 功能描述:MOSFET 350V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2535N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2535N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2535N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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