參數(shù)資料
型號(hào)： TP0610T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.12A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： P通道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓- 60V的，夾斷電流，0.12A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： TP0610T
TP0610L/T, VP0610L/T, BS250
Siliconix
Vishay Siliconix, 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054
S-52426—Rev. E, 14-Apr-97 Siliconix was formerly a division of TEMIC Semiconductors
Phone (408)988-8000
FaxBack (408)970-5600
www.siliconix.com
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20.0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
–
I
–
I
–
r
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
(
–500
0
–1
–2
–3
–4
–5
–400
–300
–200
–100
0
–8 V
–7 V
–6 V
–4 V
–3 V
–5 V
V
GS
= –10 V
–100
–80
–60
0
0
–1
–5
–40
–20
–2
–3
–4
T
C
= –55 C
125 C
25 C
V
DS
= –15 V
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–8
–6
–4
–2
0
–2.6 V
–2.4 V
–2.2 V
–2.0 V
–1.8 V
V
GS
= –3.0, –2.8 V
0
–4
–8
–12
–16
–20
17.5
15.0
12.5
2.5
10.0
7.5
5.0
–0.5 A
T
J
= 25 C
I
D
= –25 mA
–0.2 A
25
20
15
0
0
–0.15
–0.75
10
5
–0.30
–0.45
–0.60
V
GS
= –10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= –10 V
I
D
= –0.5 A
r
)
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0610T P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-61V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TP0620 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門(mén)限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TP11362AV Quad Adaptive Differential PCM Processor
TP11362A Quad Adaptive Differential PCM Processor(四通道適應(yīng)性微分PCM處理器)
TP11362 CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0610T-G 功能描述:MOSFET -60V 100hm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610TT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
TP0610T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin TO-236 T/R
TP0620 制造商:SUPERTEX 制造商全稱(chēng):SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP0620N3 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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