參數(shù)資料
型號： TP0610T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： TP0610T
TP0610L/T, VP0610L/T, BS250
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70209
S-41260—Rev. H, 05-Jul-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 500 mA
I
D
= 200 mA
r
)
1.2
1.5
1
100
1000
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
10
T
J
=
55 C
V
GS
= 0 V
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.5
V
V
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
T
J
Junction Temperature ( C)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 350 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
1
2.5
3
100
600
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
1.5
2
0.5
1
10
T
A
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0610T CONNECTOR ACCESSORY
TP0610L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
TP0610T P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.12A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
TP0610T P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-61V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TP0620 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0610T-G 功能描述:MOSFET -60V 100hm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610TT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
TP0610T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin TO-236 T/R
TP0620 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP0620N3 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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