參數(shù)資料
型號(hào)： TP0202T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-20V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： P通道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓- 20V的的P溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： TP0202T
TP0202T
4
Siliconix
S-52426—Rev. F, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.50
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
(
–
r
D
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
V
G
Temperature ( C)
–0.50
–0.25
0.00
0.25
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 50 mA
V
GS
= 10 V
I
D
= 200 mA
I
D
= 250 mA
10.000
1.000
0.100
0.010
0.001
0
0.4
1.2
1.6
2.4
2.8
0.8
2.0
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0202 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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