參數(shù)資料
型號(hào)： TP0104N3
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 40V的五（巴西）直資|到92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 66K
代理商： TP0104N3
TP0101T
Siliconix
S-44205—Rev. A, 31-Mar-95
1
New Product
P-Channel Enchancement-Mode MOSFET
Product Summary
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–12
0.65 @ V
GS
= –4.5 V
0.85 @ V
GS
= –2.5 V
–0.5
–0.4
*Marking Code for TO-236
TP0101T (P0)*
G
TO-236
(SOT-23)
S
D
Top View
2
3
1
Absolute Maximum Ratings (T
A
= 25 C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
b
T
A
= 25 C
I
D
–0.5
T
A
= 70 C
–0.39
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
–3
Continuous Source Current (Diode Conduction)
b
I
S
–0.5
Power Dissipation
b
T
A
= 25 C
P
D
0.23
W
T
A
= 70 C
0.15
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b
R
thJA
550
C/W
Notes
a.
b.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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PDF描述
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