- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377116 > FMBT3904 (美麗微半導(dǎo)體有限公司) NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FMBT3904 |
| 廠商： | 美麗微半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | FMBT3904 |
Formosa MS
FORMOSA
MICROSEMI CO., LTD.
Spec. No. : FMSC003
Issued Date : 2002/12/25
Revised Date :
Page No. : 2/3
FMBT3904
FORMOSA MS Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
h
hFE @ V
CE
=1V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
Collector Current-I
C
(mA)
100
1000
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1000
0.1
1
Collector Current (mA)
10
100
C
V
CE
=20V
Safe Operating Area
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Forward Biased Voltage-V
CE
(V)
C
C
PT=1ms
PT=100ms
PT=1s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5320ZW | Single-Pole Double-Throw Switch GaAs PHEMT High Power Switch DC - 2.0 GHz |
| FMM5804YD | K,Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM5822VU | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMMD2835 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON ANODE DIODE PAIR |
| FMMD2837 | null |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMBT3904_11 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:200mA Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor |
| FMBT3906 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| FMBT3906_11 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:200mA Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| FMBT4401 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:600mA Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor |
| FMBT4403 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:600mA Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。