參數資料
型號： TN6725A=92PU45A
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： NPN Darlington Transistor
中文描述： NPN達林頓晶體管
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 35K
代理商： TN6725A=92PU45A
-
10
1
I
C
= 200 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Small Signal Current Gain
h
fe
pF
10
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
cb
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
2
I
C
= 1 A, V
CE
= 5.0 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
2
I
C
= 1 A, I
B
= 2 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
1.0
1.5
I
C
= 200 mA, I
B
= 2 mA
I
C
= 1 A, I
B
= 2 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
40,000
25,000
15,000
4000
I
C
= 200 mA, V
CE
= 5 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 5 V
I
C
= 1A, V
CE
= 5 V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 10 V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
100
V
CB
= 40 V
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
12
I
E
= 10
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
60
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
50
I
C
= 1 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CES
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
NPN Darlington Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
TN6725A, Rev A
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
T
相關PDF資料
PDF描述
TN6725A NPN Darlington Transistor
TN6725 CONNECTOR ACCESSORY
TN80L186EB13 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS
TN80C186EBxx 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS
TN80C188EBxx 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS
相關代理商/技術參數
參數描述
TN6726A 功能描述:TRANS GP PNP 30V 1.5A TO-226 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
TN6726A_00 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
TN6726A_D26Z 功能描述:TRANS GP PNP 30V 1.5A TO-226 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
TN6726A_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TN6726A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*