| 型號: | TN6442-2 |
| 英文描述: | Analog IC |
| 中文描述: | 模擬IC |
| 文件頁數: | 1/4頁 |
| 文件大小: | 687K |
| 代理商: | TN6442-2 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN6442-3 | Analog IC |
| TN6442-4 | Analog IC |
| TN6442-5 | Analog IC |
| TN6442-6 | Analog IC |
| TN6442-7 | Analog IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TN-65 | 制造商:CLARE 制造商全稱:Clare, Inc. 功能描述:MICROWAVE NOISE TUBES & NOISE SOURCES |
| TN6705A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6707A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN Center Collector RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |