| 型號(hào): | TN2904A |
| 英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-237VAR |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五(巴西)總裁| 600毫安一(c)|至237VAR |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/8頁(yè) |
| 文件大小: | 357K |
| 代理商: | TN2904A |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN368 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-237 |
| TN369 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-237 |
| TN2017 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 |
| TN2218A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
| TN2219 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN2905 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Power Transistors |
| TN2905A | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| TN2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2907A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2907A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |