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參數(shù)資料
| 型號： | TN28F001BX-B150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 25/33頁 |
| 文件大小： | 436K |
| 代理商： | TN28F001BX-B150 |
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28F001BX-T/28F001BX-B
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
Parameter
Notes
28F001BX-120
28F001BX-150
Unit
Min
Typ
(1)
Max
Min
Typ
(1)
Max
Boot Block Erase Time
2
2.10
14.9
2.10
14.9
Sec
Boot Block Program Time
2
0.15
0.52
0.15
0.52
Sec
Parameter Block Erase Time
2
2.10
14.6
2.10
14.6
Sec
Parameter Block Program Time
2
0.07
0.26
0.07
0.26
Sec
Main Block Erase Time
2
3.80
20.9
3.80
20.9
Sec
Main Block Program Time
2
2.10
7.34
2.10
7.34
Sec
Chip Erase Time
2
10.10
65
10.10
65
Sec
Chip Program Time
2
2.39
8.38
2.39
8.38
Sec
NOTES:
1. 25
§
C, 12.0 V
PP
.
2. Excludes System-Level Overhead.
25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F001BX-B90 | 1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| TN4R01 | Switching Regulator IC for RCC Method Power Supplies Applications |
| TN6Q03 | TN6Q03 |
| TN6R04 | CONNECTOR ACCESSORY |
| TN6R05 | CONNECTOR ACCESSORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F001BX-B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| TN28F001BX-T150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| TN28F001BX-T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| TN28F010-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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