參數(shù)資料
型號(hào)： TN2124
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓240伏，2.0V的低門限，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： TN2124
7-78
TN2124
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
I
(
D
R
BV
DSS
Variation with Temperature
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
0
10
20
30
40
50
75
25
0
0
2
4
6
8
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
50
40
30
20
10
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
32 pF
V
DS
= 40V
V
= 10V
100pF
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
125
°
C
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS(
th)
@ 1mA
25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 25V
0
R
DS(ON)
@ 4.5V, 120mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2130 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓300V，低門限2.4V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
TN2404K N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1 N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404KL N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404KL-TR1 N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
TN2124_07 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN2124K1 功能描述:MOSFET 240V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2124K1-G 功能描述:MOSFET 240V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2124N8 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN212ULCSAJ 制造商:Panasonic 功能描述:TN212ULCSAJ
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