參數(shù)資料
型號(hào)： TN2010T
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 46K
代理商： TN2010T
TN2010T
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
T
C
= –55 C
125 C
–
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 100 V
I
D
= 100 mA
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
= 100 mA
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
4 V
2.0 V
2.2 V
2.4 V
2.6 V
2.8 V
3.0 V
3.2 V
3.4 V
25 C
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 50 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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