參數(shù)資料
型號： TN0601L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： TN0601L
TN0601L, VN0606L, VN66AFD
Vishay Siliconix
Document Number: 70201
S-04279
—
Rev. E, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (A)
T
J
–
Junction Temperature ( C)
2.0 V
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
1.8 V
V
GS
= 10 V
2.0
0
1
2
3
4
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS
= 10 V
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
3 V
1.0
0.8
0.6
0
0
2
10
0.4
0.2
4
6
8
125 C
V
DS
= 15 V
T
J
=
–
55 C
2.8
0
4
8
12
16
20
2.4
2.0
1.6
0
1.2
0.8
0.4
1.0 A
I
D
= 0.1 A
2.5
2.0
1.5
0
0
0.4
2.0
1.0
0.5
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
0.2 A
0.5 A
25 C
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
–
r
D
–
r
D
–
(
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0601L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.47A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
TN0604 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Quad Array(擊穿電壓40V，低門限1.6V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管四陣列)
TN0610 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN0602 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN0602WG 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | SO
TN0604 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN0604_07 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN0604N3 功能描述:MOSFET 40V 0.75Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*