參數(shù)資料
型號(hào)： TN0201T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 29K
代理商： TN0201T
TN0201T
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70200
S-04279
—
Rev. E, 16-Jul-01
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
0.001
10.0
0.010
0.100
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
= 250 A
Gate Charge
Q
g
–
Total Gate Charge (pC)
0
5
10
15
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V
DS
= 16 V
I
D
= 300 mA
Capacitance
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
T
J
= 125 C
25 C
C
–
V
G
–
I
S
–
V
= 0V
S = IMH
Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0201T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓20V，夾斷電流0.39A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
TN0205A N-Channel 20-V MOSFET
TN0205AD N-Channel 20-V MOSFET
TN0205A N-Channel 20-V MOSFET(漏源電壓20V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
TN0601L N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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