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參數(shù)資料
| 型號： | TN0201K |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 20-V MOSFET |
| 中文描述： | N溝道20 - V MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | TN0201K |
TN0201K/TN0201KL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72671
S-40245—Rev. A, 16-Feb-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, TN0201KL Only)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN0201K-T1-E3 | N-Channel 20−V (D−S) MOSFET |
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| TN0401L | N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs |
| TN0201L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓20V，夾斷電流0.64A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| TN0401L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓40V，夾斷電流0.64A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TN0201K-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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