- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382645 > TMS664814DGE-8 SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS664814DGE-8 |
| 英文描述： | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X2MX8 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 43/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS664814DGE-8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當(dāng)前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁
TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
43
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
C1
C0
R1
R1
R1
R0
R0
R0
h
g
f
b
e
d
c
a
ACTV_0
DCAB
WRT_0
READ_1
ACTV_1
tRCD
nDOD
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
a
b
c
d
e
f
g
h
Q
1
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
D
0
R1
C1
C1+1
C1+2
C1+3
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting addresses C0 and C1 (see Table 5).
NOTE A: This example illustrates minimum tRCD for the ’664xx4 at 100 MHz.
Figure 33. Use of DQM for Output and Data-In Cycle Masking (Read-Burst Bank 1, Write-Burst Bank 0,
Deactivate All Banks) (CAS latency = 2, burst length = 4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25N | x4 SRAM |
| TMS70C20AFNA | 8-BIT MICROCONTROLLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6787-15N | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。