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參數(shù)資料
| 型號： | TMS664414DGE-10 |
| 英文描述： | SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X4MX4 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 43/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS664414DGE-10 |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
43
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
C1
C0
R1
R1
R1
R0
R0
R0
h
g
f
b
e
d
c
a
ACTV_0
DCAB
WRT_0
READ_1
ACTV_1
tRCD
nDOD
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
a
b
c
d
e
f
g
h
Q
1
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
D
0
R1
C1
C1+1
C1+2
C1+3
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting addresses C0 and C1 (see Table 5).
NOTE A: This example illustrates minimum tRCD for the ’664xx4 at 100 MHz.
Figure 33. Use of DQM for Output and Data-In Cycle Masking (Read-Burst Bank 1, Write-Burst Bank 0,
Deactivate All Banks) (CAS latency = 2, burst length = 4)
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PDF描述 |
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