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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS426409A |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4194304 4位擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 17/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | TMS426409A |
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TMS416409A, TMS417409A, TMS426409A, TMS427409A
4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMKS893B – AUGUST 1996 – REVISED APRIL 1997
17
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
VTH
VCC
CL = 100 pF
(see Note A)
Output Under Test
Output Under Test
CL = 100 pF
(see Note A)
(b) ALTERNATE LOAD CIRCUIT
(a) LOAD CIRCUIT
NOTE A: CL includes probe and fixture capacitance.
RL
R1
R2
DEVICE
VCC (V)
5
R1 ( )
828
R2 ( )
295
VTH (V)
1.31
RL ( )
218
’41x409A
’42x409A
3.3
1178
868
1.4
500
Figure 2. Load Circuits for Timing Parameters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427409A | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS427409ADGA-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4416 | 16,384 WORD BY 4 BIT DYNAMIC RAM |
| TMS44409P | 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
| TMS45160P | 262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS427400 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS427400P | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS427409A | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS428160 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
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