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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TM20RA-H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 中功率常規(guī)使用絕緣型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | TM20RA-H |
Feb.1999
–1
10
–3
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–2
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0
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0
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1
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0
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4
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3
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1
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7
5
4
10
2
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3
10
1
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0
0.5
10
70
50
30
20
7
5
3
2
0
100
500
200
300
400
10
1
100
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
1.5
2.5
3.5
4.5
T
j
=125°C
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
4
V
GT
=3.0V
I
=
50mA
T
=
25°C
I
F
=
P
GM
=5.0W
V
FGM
=10V
V
GD
=0.25V
P
=
0.50W
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
7
5
3
2
MITSUBISHI THYRISTOR MODULES
TM20RA-M,-H
MEDIUM POWER GENERAL USE
INSULATED TYPE
MAXIMUM RATINGS
Item
Thyristor
Diode
V
RRM
V
RSM
V
R (DC)
V
DRM
—
V
DSM
—
V
D (DC)
—
I
T (RMS)
I
F (RMS)
I
T (AV)
I
F (AV)
I
TSM
I
FSM
I
2t
di/dt
—
Item
Thyristor
Diode
P
GM
—
PG
(AV)
—
V
FGM
—
I
FGM
—
T
j
T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Item
Thyristor
Diode
I
RRM
I
DRM
—
dv/dt
—
V
GT
—
V
GD
—
V
TM
V
FM
I
GT
—
R
th (j-c)
PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM FORWARD CHARACTERISTIC
RATED SURGE (NON-REPETITIVE)
CURRENT
GATE CHARACTERISTICS
MAXIMUM TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE (JUNCTION TO CASE)
C
G
S
C
T
(
°
C
CONDUCTION TIME (CYCLE AT 60Hz)
FORWARD VOLTAGE (V)
GATE CURRENT (mA)
TIME (s)
R
th (c-f)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TM20RA-M | MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
| TM24064LBC | TM24064LBC |
| TM248NBK36B-60 | CAP 68PF 100V CERAMIC MONO 5% |
| TM248NBK36B-80 | CAP 82PF 100V CERAMIC MONO 5% |
| TM124MBK36B-60 | DYNAMIC RAM MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TM20RA-M | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
| TM21 | 制造商:Hirose Electric 功能描述:Bulk |
| TM2-1 | 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:RF IMPEDANCE TRANSFORMER SURFACE MOUNT MODEL WIDE BANDWIDTH 1 - 600 MHz |
| TM2103 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 |
| TM2104 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 |
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