參數(shù)資料
型號： TLP3540
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： TLP3540
TLP3540
2002-09-25
2
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Forward current
I
F
50
mA
Reverse voltage
V
R
6
V
L
Junction temperature
T
j
125
°C
Off state output voltage
V
OFF
60
V
On state current
I
ON
2
A
D
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature
T
stg
55~125
°C
Operating temperature
T
opr
20~85
°C
Lead solder temperature (10 s)
T
sol
260
°C
Isolation voltage (AC, 1 min., R.H.
≤
60%)
(Note 1)
BV
S
1500
V
rms
(Note 1): Device considered a two terminal device: Pins 1, 2, 3 and 4 shorted together and
pins 5 and 8 shorted together.
Recommended Operating Conditions
Characteristic
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply voltage
V
OFF
―
―
48
V
Forward current
I
F
10
―
30
mA
On state current
I
ON
―
―
2
A
Operating temperature
T
opr
25
―
50
°C
Individual Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
= 20 mA
1.0
1.2
1.4
V
Reverse voltage
I
R
V
R
= 6 V
―
―
10
μA
L
Capacitance
C
T
V = 0, f = 1 MHz
―
15
―
pF
Off state current
I
OFF
V
OFF
= 20V, Ta = 50°C
―
1.0
4.0
nA
D
Capacitance
C
OFF
V = 0, f = 1MHz
―
600
1400
pF
Coupled Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
MIn.
Typ.
Max.
Unit
Trigger LED current
I
FT
I
ON
= 1 A
―
―
5
mA
On state resistance
R
ON
I
ON
= 1 A, I
F
= 10mA
―
―
0.12
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PDF描述
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