參數(shù)資料
型號(hào)： TLP161G
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Triac
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： TLP161G
TLP161G
2002-09-25
3
Individual Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
=10mA
1.0
1.15
1.3
V
Reverse current
I
R
V
R
=5V
―
―
10
μA
L
Capacitance
C
T
V=0, f=1MHz
―
30
―
pF
Peak off state current
I
DRM
V
DRM
=400V
―
10
1000
nA
Peak on state voltage
V
TM
I
TM
=70 mA
―
1.7
2.8
V
Holding current
I
H
―
―
0.6
―
mA
Critical rate of rise of
off state voltage
dv / dt
V
in
=120Vrms, Ta=85°C
(Fig.1)
200
500
―
V / μs
D
Critical rate of rise of
commutating voltage
dv / dt(c)
V
in
=30Vrms, I
T
=15mA
(Fig.1)
―
0.2
―
V / μs
Coupled Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Trigger LED current
I
FT
V
T
=3V
―
5
10
mA
Inhibit voltage
V
IH
I
F
=rated I
FT
―
―
40
V
Leakage in inhibited state
I
IH
I
F
=rated I
FT
V
T
=rated V
DRM
―
100
300
μA
Capacitance (input to output)
C
S
V
S
=0, f=1MHz
―
0.8
―
pF
Isolation resistance
R
S
V
S
=500V, R.H.
≤
60%
1×10
12
10
14
―
AC, 1 minute
2500
―
―
AC, 1 second, in oil
―
5000
―
Vrms
Isolation voltage
BV
S
DC, 1 minute, in oil
―
5000
―
Vdc
Fig.1
dv / dt test circuit
5V
，
V
CC
0V
dv / dt (c)
dv / dt
1
6
3
4
～
V
in
R
L
2k
V
CC
R
in
120
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