參數(shù)資料
型號： TISPPBL2SDR
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
中文描述： 愛立信元件博亞可編程過電壓保護3xxx系列SLIC組件
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： TISPPBL2SDR
TISPPBL2SD
PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
AUGUST 1999
8
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
APPLICATIONS INFORMATION
operation of gated protectors
Figure 13 and Figure 14 show how the TISPPBL2S limits overvoltages. The TISPPBL2S thyristor sections
limit negative overvoltages and the diode sections limit positive overvoltages.
Negative overvoltages (Figure 13) are initially clipped close to the SLIC negative supply rail value (V
BAT
) by
the conduction of the transistor base-emitter and the thyristor gate-cathode junctions. If sufficient current is
Figure 11.
Figure 12.
Figure 13. NEGATIVE OVERVOLTAGE CONDITION
Figure 14. POSITIVE OVERVOLTAGE CONDITION
CUMULATIVE POPULATION %
vs
LIMITING TIME
t
(BR)
, t
FR
- Breakdown and Forward Recovery Times - μs
0.001
0.01
0.1
1
C
0·001
0·01
0·1
1
10
30
50
70
90
99
99·9
99·99
99·999
TC6XAC
50 devices tested from 10 wafer lots
I
F
= 20 A, I
T
= -20 A, 0.5/700 Waveform
T
A
= 25°C, V
GG
= -50 V
THYRISTOR t
(BR)
for V
(BR)
< V
GG
DIODE t
FR
for V
F
> 5 V
Outliers
(2) @ 0 μs
0.004
0.04
0.4
NORMALISED PEAK LIMITING VOLTAGES
vs
JUNCTION TEMPERATURE
1.10
Normalised to 25°C values
of V
(BO)
and V
FRM
I
F
= 20 A, I
T
= -20 A
0.5/700 Waveform
V
GG
= -50 V
T
J
- Junction Temperature - °C
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80
g
g
0.90
0.95
1.00
1.05
TC6XAA
THYRISTOR
V
(BO)
DIODE
V
FRM
C1
I
G
Th5
SLIC
SLIC
PROTECTOR
TISP
PBL2S
I
K
AI6XANS
V
GG
C2
D1
V
Bat
Th5
SLIC
SLIC
PROTECTOR
TISP
PBL2S
I
F
AI6XAOS
C1
V
GG
C2
D1
V
Bat
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